生产场所 | |
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备注 | |
注册号 | 国药管械(试)字2001第3030148号 |
生产单位 | 北京大学物理系工厂 |
地址 | 北京市海淀区北京大学物理楼 |
邮编 | 100083 |
产品名称 | 半导体激光治疗仪 |
产品标准 | Q/HDBWG001-2000《JL系列半导体激光治疗仪》 |
产品性能结构及组成 | 激光最大输出功率:10mW±20%,激光波长650nm。JLT1型由主机、4个激光头等组成。JTX1型由主机、1个激光头、随机分体功率指示器等组成。 |
有效期 | 2003.08.10 |
批准日期 | 2001.08.10 |
产品适用范围 | 用于通过照射内关***等,降低“三高”(高血压、高血脂、血粘度)指标。 |
规格型号 | JLT1、JLX1型 |
附件 | |