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半导体激光治疗仪
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生产场所
变更日期
备注
注册号 国药管械(试)字2001第3030148号
生产单位 北京大学物理系工厂
地址 北京市海淀区北京大学物理楼
邮编 100083
产品名称 半导体激光治疗仪
产品标准 Q/HDBWG001-2000《JL系列半导体激光治疗仪》
产品性能结构及组成 激光最大输出功率:10mW±20%,激光波长650nm。JLT1型由主机、4个激光头等组成。JTX1型由主机、1个激光头、随机分体功率指示器等组成。
有效期 2003.08.10
批准日期 2001.08.10
产品适用范围 用于通过照射内关***等,降低“三高”(高血压、高血脂、血粘度)指标。
规格型号 JLT1、JLX1型
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